科学技術予測・政策基盤調査研究センター 特別研究員 蒲生 秀典

役職 特別研究員 蒲生 秀典
氏名(よみ) 蒲生 秀典(がもう ひでのり)
学歴・学位 京都大学博士(工学)
主な経歴 企業の研究所にて、ダイヤモンド、カーボンナノチューブおよび半導体薄膜の化学合成と、それを微細加工した微小電子源と表示・照明デバイス応用の研究に従事。その間、通商産業省工業技術院電子技術総合研究所(現(独)産業技術総合研究所)、(独)物質・材料研究機構および東洋大学先端光応用計測研究センターにて外来・客員研究員として共同研究に携わる。2010 年 4 月より現職。
研究分野 ナノテクノロジー、ダイヤモンド、ナノ炭素材料、気相化学合成、微細加工、薄膜半導体材料・デバイス、ディスプレイ・照明デバイス、電子物性、表面科学
最近の主な研究成果等
NISTEPの報告書
  1. 科学技術の将来社会への貢献に向けて-第9回予測調査総合レポート-[NISTEP REPORT No.145 / 2010.12]
  2. 持続可能な節電に関する調査 - デルファイ調査とシナリオ分析による将来展望-[調査資料-220 / 2013.3]
  3. 中性子線を利用した材料解析技術の最近の動向[科学技術動向 第121 / 2011.4]
  4. 外国人研究者の寄与による研究機関の生産性の向上[科学技術動向 第128 / 2012.3]
  5. デジタルファブリケーションの最近の動向 ―3Dプリンタを利用した 新しいものづくりの可能性―[科学技術動向 第137 / 2013.8]
  6. 災害情報伝達媒体としてのデジタルサイネージ利用の動向[科学技術動向 第140 / 2013.11]
  7. 再生可能エネルギー利用拡大のためのエネルギーストレージの研究開発動向[科学技術動向 第143 / 2014.3]
査読付学術論文

(英文誌)

  1. M. Ishizaki, H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “Fabrication and Characterization of Cross-Edge-Structured Vertical Field Emitter Arrays”, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 7171 (1994).
  2. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “Fabrication of Petal-Shaped Vertical Field Emitter Arrays”, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 6916 (1995).
  3. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “Amorphous-Silicon-on-Glass Field Emitter Arrays”, IEEE Electron Device Lett., 10, 261 (1996).
  4. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “Fabrication of Field Emitter Arrays with Hydrogenated Amorphous Silicon on Glass”, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 6620 (1996).
  5. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “A field emitter array with an amorphous silicon thin-film transistor on glass”, Appl. Phys. Lett., 73, 1301 (1998).
  6. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “Fabrication of a New Field Emitter Array with a Built-In Thin-Film Transistor on Glass”, Jpn. J. Appl. Phys., 37, 7134 (1998).
  7. H. Gamo, S. Kanemaru and J. Itoh, “A field emitter array monolithically integrated with a thin-film transistor on glass for display applications”, Appl. Surf. Sci., 146, 187 (1999).
  8. H. Gamo, T. Kai, S. Kanemaru and J. Itoh, “Emission Characteristics of Amorphous Silicon Field Emitter Arrays Sealed in a Vacuum Package”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7213 (1999).
  9. H. Gamo, M. N.-Gamo, K. Nakagawa and T. Ando, “Surface potential change by oxidation of the chemical vapor deposited diamond (001) surface”, J. Phys.: Conf. Ser. 61, 327 (2007).
  10. H. Gamo, K. Iwasaki, K. Nakagawa, T. Ando and M. N.-Gamo, “Surface conductivity change by oxidation of the homoepitaxially grown diamond (100) surface”, J. Phys.: Conf. Ser. 61, 332 (2007).
  11. H. Gamo, K. Shimada, M. N.-Gamo, and T. Ando, “Ultrafine Patterning of Nanocrystalline Diamond Films Grown by Microwave Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 6267 (2007).
  12. H. Gamo, K. Shibasaki, K. Nakagawa, T. Ando, and M. N.-Gamo, “Field Emission Characteristics of Well-Aligned Carbon Nanotubes Synthesized in Organic Liquids”, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 6339 (2007).
  13. M. N.-Gamo, T. Shibasaki, H. Gamo, K. Nakagawa, and T. Ando, “Liquid-Phase Deposition of Aligned Carbon Nanotubes Using Cobalt Catalyst”, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 6329 (2007).
  14. H. Kiyota, H. Gamo, M. N.-Gamo, and T. Ando, “Composition and Bonding Properties of Carbon Nitride Films Grown by Electrochemical Deposition Using Acrylonitrile Liquid”, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1050 (2008).
  15. H. Gamo, M. Kikuchi, T. Shibasaki, T. Ando, H. Tomokage, and M. N.-Gamo, “Field Emission Current Uniformity and Stability of Well-Aligned Carbon Nanotubes Synthesized in Methanol”, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 6606 (2008).
  16. K. Nakagawa, H. Oda, A. Yamashita, M. Okamoto, Y. Sato, H. Gamo, M. N.-Gamo, K. Ogawa, and T. Ando, “A Spherical Carbon”, J. Mater. Sci., 44, 221 (2009).
  17. H. Gamo, M. Kikuchi, T. Shibasaki, T. Ando, and M. N.-Gamo, “Field emission characteristics of carbon nanomaterials synthesized in methanol”, J. Vac. Sci. Technol. B, 28, C2B47 (2010).
  18. K. Nakagawa. H. Gamo, M. N.- Gamo, T. Ando, and H.Oda. “Nanocarbon synthesis using oxidized diamond-supported metal catalysts”, ECS Transaction, 28(17), 33 (2010).
  19. H. Gamo, T. Ando and M.N.-Gamo, “A Novel Catalytic Synthesis Method of New Carbons in the Organic Liquids”, Materials Science Forum periodical/ Advanced Materials Research, in Press.

(邦文誌)

  1. 西谷美香、中川清晴、張亜非、太田慶新、蒲生秀典、安藤寿浩:「アルコール中でのカーボンナノチューブの液相合成」、表面技術、53、129 (2002).
  2. 蒲生秀典、蒲生西谷美香、中川清晴、安藤寿浩、「CVDダイヤモンド表面の酸化による仕事関数の変化」、表面科学、26, 547 (2005).
  3. 蒲生秀典、福上典仁、田村章、蒲生西谷美香、安藤寿浩、「マイクロ波プラズマCVDによるナノクリスタルダイヤモンド薄膜の作製とナノレベル微細加工」、表面科学、26, 542 (2005).
その他の研究成果・書籍等出版物

(登録特許)

      1. 特許第3097282号「バリスタ素子の製造方法」
      2. 特許第3259318号「バリスタ素子の製造方法」
      3. 特許第3208864号「液晶表示装置」
      4. 特許第3306926号「バリスタ素子の製造方法」
      5. 特許第3146470号「電子放出素子の製造方法」
      6. 特許第3391360号「電子放出素子及びその製造方法」
      7. 特許第3362506号「電子放出素子の製造方法」
      8. 特許第3331760号「ハーフトーン型位相シフトマスクとそれに用いるマスクブランク」
      9. 特許第3143679号「電子放出素子及びその製造方法」
      10. 特許第3184890号「電子放出素子及びその製造方法」
      11. 特許第3012517号「電子放出素子及びその製造方法」
      12. 特許第3612883号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      13. 特許第3622406号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      14. 特許第3595821号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      15. 特許第3502883号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      16. 特許第3826539号「冷電子放出素子の製造方法」
      17. 特許第3832070号「冷電子放出素子の製造方法」
      18. 特許第4529011号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      19. 特許第3945049号「冷電子放出素子の製造方法」
      20. 特許第4151861号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      21. 特許第4693980号「冷電子放出素子及びその製造方法」
      22. 特許第4686914号「ステンシルマスクの製造方法」
      23. 特許第4792666号「ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法」
      24. 特許第4649780号「ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法」
      25. 特許第4287692号「非晶質シリコンの化合物薄膜の応力評価方法」
      26. 特許第4729875号「ステンシルマスクおよびパターン転写方法」
      27. 特許第4635491号「ステンシルマスクおよびパターン転写方法」
      28. 特許第4892814号「有機薄膜トランジスタの製造方法」
      29. 特許第5034154号「有機太陽電池及びその製造方法」
      30. 特許第4475009号「有機電界発光素子及びその製造方法」
      31. 特許第4719909号「ナノクリスタルダイヤモンド膜の製造方法」
      32. 特許第4649919号「ステンシルマスクの製造方法」
      33. 特許第4911743号「電気化学素子及びその製造方法」
      34. 特許第4487035号「ダイヤモンド膜のパターン形成方法」
      35. 特許第4507775号「ステンシルマスクの製造方法」
      36. 特許第4655558号「メンブレンマスク及びその製造方法」
      37. 特許第4517791号「窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法」
      38. 特許第4590631号「フィールドエミッタアレイ及びその製造方法」
      39. 特許第5013155号「ダイヤモンドエミッタアレイの製造方法」
      40. 特許第4639334号「ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法」
      41. 特許第4654383号「ステンシルマスク及びその製造方法」
      42. 特許第4730686号「カーボン繊維の切断・加工方法」
      43. 特許第4899120号「窒化酸化シリコンの組成評価方法及び物性」
      44. 特許第4853706号「インプリント用モールド及びその製造方法」
      45. 特許第4802799号「インプリント法、レジストパターン及びその製造方法」
      46. 特許第5200327号「反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法」
      47. 特許第5099300号「ナノ炭素材料複合体及びその製造方法」
      48. 特許第4241766号「照明ランプ用冷電子放出素子」
      49. 特許第4967536号「ナノ炭素材料複合体及びその製造方法」
      50. 特許第5024813号「面発光素子の製造方法」
      51. 特許第4967535号「ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法」
      52. 特許第5110836号「燃料電池用触媒電極、それを用いた、膜・電極接合体、及び燃料電池」
      53. 特許第5110835号「燃料電池用触媒電極、それを用いた、膜・電極接合体、及び燃料電池」
      54. 特許第4984131号「ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法」
      55. 特許第4984130号「ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子」
      56. 特許第5283031号「コイン積層状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス」
      57. 特許第5283030号「らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス」
      58. 特許第5245072号「カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置」
      59. 特許第5099331号「ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子」
      60. 特許第5376197号「ナノ炭素材料複合体の製造方法」
      61. 特許第5418874号「ナノ炭素材料複合体の製造方法及びナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子」
      62. 特許第5245087号「ナノ炭素材料複合体ペーストおよびそれを用いたパターン形成方法」
      63. 特許第5344210号「カーボンナノチューブの合成方法及び合成装置」
      64. 特許第5207244号「水素製造装置」
      65. 特許第5321880号「ナノ炭素材料複合体及びその製造方法」
      66. 特許第5321881号「カーボン膜の製造方法」
      67. 特許第5343531号「電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子」
      68. 特許第5293352号「三極構造型の電界電子放出型ランプの製造方法」
      69. 特許第5228986号「ナノ炭素材料複合基板製造方法」
      70. 特許第5347938号「発光装置」
講演・口頭発表等

(2012年以降、招待講演のみ)

    1. 蒲生秀典、安藤寿浩、蒲生西谷美香、「液相合成法によるナノカーボン材料の形態制御と電子放出特性」、第9回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム(2012.3.6、大阪大学)
    2. H. Gamo, T. Ando and M.N.-Gamo, “A Novel Catalytic Synthesis Method of Carbon Nanomaterials in the Organic Liquids”, NanoTech Conference and Expo.2013 (2013.5, Washington DC)
    3. 蒲生秀典、「3Dプリンタを利用した新しいものづくりの可能性」、財務省財務総合政策研究所ランチミーティング(2013.10.2、財務省)
    4. H. Gamo, T. Ando and M.N.-Gamo, “A Novel Catalytic Synthesis Method of New Carbons in the Organic Liquids”, The 8th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (2013.12, Las Vegas)
所属学協会 応用物理学会、表面技術協会、日本表面科学会、日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会
競争的資金の研究課題
受賞歴 (社)表面技術協会 論文賞
その他